- 您现在的位置：买卖IC网 > Sheet目录465 > IXTV96N25T (IXYS)MOSFET N-CH 250V 96A PLUS220
IXTH96N25T IXTQ96N25T
IXTV96N25T
100
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25oC
V GS = 10V
200
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25oC
V GS = 10V
90
80
70
60
50
40
30
20
8V
7V
6V
180
160
140
120
100
80
60
40
8V
7V
6V
10
0
5V
20
0
5V
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
2.4
2.8
3.2
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
100
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125oC
3.2
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 48A Value
vs. Junction Temperature
90
V GS = 10V
8V
7V
2.8
V GS = 10V
80
70
2.4
60
6V
2.0
I D = 96A
50
40
1.6
I D = 48A
30
5V
1.2
20
0.8
10
0
0.4
0
1
2
3
4
5
6
7
8
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
3.4
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 48A Value
vs. Drain Current
90
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
3.0
2.6
2.2
1.8
V GS = 10V
T J = 125oC
80
70
60
50
40
External-Lead Current Limit
30
1.4
1.0
0.6
T J = 25oC
20
10
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
? 2007 IXYS CORPORATION, All rights reserved
T C - Degrees Centigrade
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。
相关PDF资料
IXTX110N20L2
MOSFET N-CH 200V 110A PLUS247
IXTX17N120L
MOSFET N-CH 1200V 17A PLUS247
IXTX24N100
MOSFET N-CH 1000V 24A PLUS247
IXTX90N25L2
MOSFET N-CH 90A 250V PLUS247
IXTY08N100D2
MOSFET N-CH 1000V 800MA DPAK
IXTY08N100P
MOSFET N-CH 1000V 800MA TO-252
IXTY08N50D2
MOSFET N-CH 500V 800MA DPAK
IXTY1N80P
MOSFET N-CH 800V 1A TO-252
相关代理商/技术参数
IXTV98N20T
功能描述:MOSFET 98 Amps 200V 26 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTX110N20L2
功能描述:MOSFET LINEAR L2 SERIES MOSFET 200V 110A
RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTX120P20T
功能描述:MOSFET TrenchP Power MOSFETs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTX170P10P
功能描述:MOSFET -170.0 Amps -100V 0.012 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTX17N120L
功能描述:MOSFET 17 Amps 1200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTX200N10L2
功能描述:MOSFET L2 Linear Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTX20N140
功能描述:MOSFET High Voltage Power MOSFETs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTX20N150
功能描述:MOSFET 1200V High Voltage Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube